美光科技(MU)股價在經歷了數週的低迷與市場恐慌後，於昨日（2/11）出現戲劇性反轉，單日暴漲近 10% 。這波強勁反彈的關鍵催化劑，來自於美光管理層在 Wolfe Research 汽車與半導體會議上的強勢表態 。財務長 Mark Murphy 直言公司正處於「前所未有的最佳競爭地位」，並釋出 HBM4 進度超前的重磅利多，一舉掃除市場陰霾，促使資金從觀望轉為追價 。
過去下跌的原因：錯失 Nvidia Rubin 供應鏈的恐慌
在此之前，美光股價承壓的主要原因來自市場流言。近期 SemiAnalysis 等機構發布報告指出，美光在輝達(NVDA)下一代 Rubin 平台（HBM4） 的供應份額可能為 0% 。 市場擔憂美光的技術規格未能達到輝達的嚴苛要求，導致投資人恐慌美光將在 2026 年後的 AI 記憶體競賽中被邊緣化，輸給 SK 海力士與三星 。這種「被踢出供應鏈」的疑慮，嚴重壓抑了美光近期的估值表現。
Wolfe 會議強力回應：HBM4 進度超前與產能規劃
針對市場謠言，美光在昨天的電話會議上做出了「直球對決」的澄清，並給出了極為清晰的產能路徑圖：
- 正面闢謠與進度超前： 管理層強硬駁斥相關傳聞為「不實報導」。美光確認 HBM4 已進入大規模量產並開始向客戶出貨，進度比原先預期提早了整整一個季度 。官方更強調 HBM4 傳輸速度超過 11Gbps，良率完全符合預期 。
- 2026 年產能全數售罄： 目前市場處於絕對的賣方市場。美光宣布 2026 年全年的 HBM 產能已全數售罄，大型客戶為了搶貨已簽訂長約 。
- 2026-2028 產能分析： 針對供應端，美光指出新產能無法快速開出，供需緊張將延續至 2026 年之後 。
- 2026 年： 供應仍受限，主要依賴 1-gamma 節點轉換 。
- 2027 年： 台灣銅鑼廠（收購自力積電，約 18 億美元）與美國愛達荷 ID1 廠將開始貢獻產能，這是填補供應缺口的關鍵 。
- 2028 年： 新加坡 NAND 新廠預計下半年產出首片晶圓 。 這意味著，短期內市場將持續面臨「結構性短缺」，有利於價格支撐 。
持續看好美光，AI 超級循環與獲利結構優化
基於會議內容，市場認為美光正從「週期股」轉向「AI 結構性成長股」，看好理由如下：
- HBM 的排擠效應（Crowding Out）： HBM 對矽晶圓的消耗量是傳統 DRAM 的 3 倍以上 。隨著 HBM4 世代到來，這將大幅擠壓標準型記憶體（PC/手機用）的產能，進而推升整體記憶體平均售價（ASP）維持高檔 。
- 多元獲利引擎： 成長不只靠 HBM。美光正推動 LPDRAM 進入資料中心（可節省 60% 功耗），且企業級 SSD 年營收已突破 10 億美元，顯示 AI 架構下的分層儲存（Tiering）正在創造多重獲利來源 。
- 估值極具吸引力： 儘管股價反彈，但考量到 2026 年 EPS 有望創新高，美光目前的預期本益比（P/E）僅約 11.5 倍，相對於其高成長性仍被低估 。
投資風險與總結
雖然前景看好，但投資人仍需留意 資本支出（Capex） 的壓力。美光 2026 財年資本支出預計將突破 200 億美元（含收購台灣廠房） 。若未來 AI 需求增速放緩，高額折舊可能成為財報負擔 。此外，雖然 HBM4 進度超前，但三星與 SK 海力士的競爭依然激烈，需持續觀察後續的出貨爬坡數據 。
此次 Wolfe 會議是美光的「信心回擊」。透過確認 HBM4 提前量產與 2026 年產能完銷，美光成功打破了「被輝達拋棄」的謠言 。隨著台灣與美國新廠的長期佈局確立，美光的基本面處於最強階段。接下來的觀察重點，將是 3 月份 NVIDIA GTC 大會上，黃仁勳是否會公開確認與美光的合作關係，這將是下一波股價攻勢的關鍵 。
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