【美股研究報告】美光AI需求爆發、市佔走升，股價還能漲多少？

・ 2025 年 06 月 26 日

圖/Shutterstock

*美光財報季度表達方式為： FY25Q3 為 2025 年 2 月最後一個禮拜五到 2025 年 5 月最後一個禮拜四，FY25Q4 為 2025 年 5 月最後一個禮拜五到 2025 年 8 月最後一個禮拜四，以此類推。

*全篇財報按非美國通用會計準則（ Non-GAAP ）計算，由於 Non-GAAP 剔除了一次性、非常規等項目，更能反映企業的真實經營情況。

從你的手機、電腦到 ChatGPT、YouTube、特斯拉（TSLA）系統裡面的 AI功能背後都需要一種技術——記憶體。這種技術就像電腦和手機的大腦，負責暫時記住和儲存資訊，而專門生產這種「科技大腦」的，就是美光（MU）。簡單來說，美光就像是在賣「科技界的記憶力」。你可以把它想像成「工廠的積木製造商」，他們不直接製造手機或電腦，而是把一塊塊記憶體積木，賣給蘋果（AAPL）、輝達（NVDA）、微軟（MSFT）等科技巨頭，再由這些公司組裝成產品。

我們看AI，常常以為程式軟件最重要，但實際上 AI 的能力與效率，往往要看能否有快、耐、穩定的記憶體。美光成立於1978年，總部位於美國愛達荷州的企業，最主要生產兩大類型的記憶體。一種是用於短期操作的 DRAM，另一種是持久儲存用的 NAND Flash。其中 DRAM 在 FY25Q3 佔美光整體營收的 76.0%，年成長超過五成，是目前成長主要動能。而在 AI 需求大爆發的帶動下，一種高階記憶體產品 HBM（高頻寬記憶體）也快速竄起，這種記憶體就像是為 AI 加速器量身打造的「超跑級記憶體」。

美光25Q1 DRAM及NAND Flash市佔同步擴大

在25Q1，美光在記憶體市場的市佔率穩步提升，成為僅次於三星與 SK 海力士的全球第三大廠。根據 TrendForce 最新資料，美光在 DRAM 市場的市佔率季增 1.9 個百分點，來到 24.3%，而在 NAND Flash 領域也成長 1.6 個百分點至 15.4%，正式超車鎧俠（Kioxia），登上 NAND 全球第三。雖然整體記憶體產業仍受價格下跌與出貨疲弱影響，但美光受惠於出貨量擴增、產品組合優化，營收跌幅明顯小於對手，甚至逆勢擠進前段班。

特別是在 NAND 市場，儘管整體產業營收季減近 24%，美光僅下滑約 11%，遠低於三星（-25%）與 SK 集團（-約20%）的衰退幅度，凸顯其營運韌性與市場競爭力。展望第二季，隨著終端需求逐漸回溫，客戶庫存水位健康，加上美國關稅政策推動拉貨，美光有望延續市佔擴張趨勢，進一步鞏固其在全球記憶體市場的領導地位。

美光FY25Q3資料中心、AI伺服器HBM 需求強勁，營收獲利雙雙打敗預期

美光FY25Q3財報重點如下：

營收達 93.0 億美元（季增 15.5%，年增 36.6%），高於 CMoney預估的 88.5 億美元 5.1%
- DRAM 營收70.7 億美元（季增15.5%，年增50.7% ）
  - 平均銷售價格（ASP）季減約 2.0%
  - 位元出貨量季增逾20.0%
- NAND Flash 營收21.6 億美元（季增4.4%，年增16.2% ）
  - 平均銷售價格（ASP）季減約 8.0%
  - 位元出貨量季增約 25.0%
毛利率達 39.0%（季增 1.0 個百分點，年增 10.8 個百分點）
- 遠高於CMoney 預估的36.4%
每股盈餘（EPS）達1.91 美元（季增 22.2%，年增 208.5%）
- 優於CMoney預期的 1.60 美元

美光在 FY25Q3繳出亮眼成績，主要驅動來自資料中心、AI 伺服器與消費端 DRAM 與 NAND Flash出貨量大增。HBM 業務本季表現搶眼，營收季增近 50%，資料中心業務收入更是連續第四季創新高。美光的 HBM3E 已通過 AMD（AMD） MI355X GPU 平台採用，並新增第 4 家大客戶，橫跨 GPU 與 ASIC 平台，奠定其在 AI 記憶體的技術與市佔優勢。

此外，美光FY25Q3毛利率超出預期，主要受惠於 DRAM 與 NAND Flash價格優於預期，也受到消費性產品佔比增加的影響。帶動每股盈餘（EPS）年增逾2倍達1.91 美元，打敗CMoney預期的 1.60 美元。

AI 需求有望續揚、NAND Flash回穩可期，上調美光FY25Q4、FY2025營收預期

進入FY25Q4，美光看起來信心滿滿，預計營收將達 107 億美元（正負 3 億），比上一季多出約 15%，有望再創歷史新高。帶動這波成長的，依然是 DRAM 產品，特別是在 AI 伺服器、高階加速器這些應用需求強勁，且手機、工業與車用市場的需求也維持穩健，加上NAND Flash客戶庫存去化得差不多、開始回補訂單，都有望成為FY25Q4營收成長的「加分項」。因此，CMoney 研究團隊也順勢上調美光FY25Q4營收預期 7.2% 至 106.3 億美元（季增 14.3%，年增 37.2%），FY2025 營收預估調高3.3% 至 366.9 億美元（年增 46.1%）。

高階記憶體出貨升溫、製造成本控制得宜，上調美光FY25Q4、FY2025 EPS預期

在獲利方面，美光預估FY25Q4毛利率將來到 42%（正負 1 個百分點），比FY25Q3的 39% 明顯提升。這主要是因為高階 DRAM 的比重提高，如高頻寬記憶體（HBM）、低功耗動態記憶體（LPDRAM）與用於伺服器的大容量記憶體模組（DIMM），這些高毛利率、高技術門檻出貨佔比持續提升。加上製造成本有效控制。雖然消費型產品（像是手機與筆電用記憶體）還是有點壓力，但比例正在下降，AI 與資料中心這些毛利率較高的業務正在接棒，故CMoney 研究團隊上調美光FY25Q4毛利率預估4.7個百分點至 42.2%（季增 3.2 個百分點），每股盈餘（EPS）預估也上調到 2.43 美元（季增 27.6%，年增超過 1 倍），FY2025每股盈餘（EPS）預估調高 11.4% 至 7.69 美元（年增逾4.8倍）。

HBM4量產上路、產品組合升級，預期美光FY2026營收可年增25.8%

展望 FY2026，美光的成長主力仍來自 AI 應用快速擴張。公司指出，HBM（高頻寬記憶體）需求成長有望遠超過一般 DRAM，預告這類高階記憶體會是營收成長主力。

美光已開始對客戶送樣 HBM4（第四代高頻寬記憶體），預計 2026 年正式量產。這一代產品採用 One Beta（第一代 EUV 製程技術）與自製邏輯晶粒，效能更強、耗電更少，是推升營收的關鍵。且2025 年美光已大規模出貨 HBM3E（第三代強化版 HBM），也為美光 2026 年的擴產與市佔提升打下基礎。同時，美光在資料中心 SSD（固態硬碟）市佔率已升至全球第二，且已被 NVIDIA GB200 平台列為推薦供應商，有望打入下一代 AI 基礎建設核心供應鏈，美光高階記憶體可望價量齊揚。

行動裝置與工業市場方面，LPDDR5X（第五代低功耗雙倍傳輸率記憶體）和 G9 NAND（第九代快閃記憶體）產品也可望在FY2026放量出貨，將成為補充動能。因此，CMoney 研究團隊預估美光 FY2026 全年營收可年增 25.8%，達到 461.6 億美元。

高階記憶體放量、毛利結構轉佳，預期美光FY2026 EPS可年增45.5%

在獲利部分，美光毛利率續揚可期，主要靠 HBM4 和 HBM4E（第四代高頻寬記憶體加強版）貢獻。雖然這類記憶體每片晶圓產量較少，但每顆賣得更貴、毛利率也更高，相當於「用較少資源賺更多錢」。此外，美光打算控制一般 DRAM 和 NAND 的出貨速度，避免市場供過於求，有助價格穩定。再加上新一代製程技術（如 One Gamma 和 G9）導入，也能讓產品更值錢。整體來說，美光靠「產品升級」與「技術升級」雙引擎推動獲利成長，CMoney 研究團隊預計 FY2026 每股盈餘可望年增 45.5%，達到 11.19 美元，每股淨值（BVPS）可達 57.39 美元。

美光HBM需求強、高毛利率產品佔比擴大，投資建議調升至逢低買進，目標價上調至155美元

美光 6月 25 日收盤價為 127.25 美元，以預估 FY2026每股淨值（BVPS）可達 57.39 美元推算，目前美光本淨比為 2.2 倍，位於過往五年本淨比1.1~3.8 倍的中間偏低位置。CMoney研究團隊考量（1）AI 應用持續爆發，有望帶動 HBM（高頻寬記憶體）放量出貨、（2）美光在資料中心 DRAM 與 SSD 的市佔率可穩定提升，搭上 AI 基礎建設成長列車、（3）高毛利率產品比重可望持續擴大，有助結構性毛利率提升，故將美光投資建議由區間操作調升至逢低買進，目標價本淨比因 AI 市場長期成長趨勢明確及預期水EPS成長強勁由 2.1 倍上調至 2.7 倍，目標價由 96 調高至 155 美元。