美光爆量強攻，外資調高目標價點火
AI記憶體週期升溫，美光獲買進評等與大幅抬價帶動股價大漲 Micron Technology(美光)(MU)獲花旗將目標價由150美元上調至175美元並重申買進，受惠於資料中心對DRAM與AI應用需求攀升，週四股價放量勁揚收在140美元，上漲7.55%，年初至今漲幅逼近八成。花旗預期美光即將於9月23日公布的2025會計年度第四季財報，將給出「遠優於市場共識」的財測指引，市場情緒明顯轉向偏多。
記憶體龍頭卡位AI浪潮，產品組合升級推動營收動能
美光核心業務為DRAM與NAND快閃記憶體，應用遍及資料中心、AI伺服器、個人電腦、智慧型手機與車用電子。近年著墨高頻寬記憶體HBM與高附加價值伺服器DRAM，藉由單機記憶體含量提升與高階產品滲透率擴大，拉動銷售與單價。公司在全球記憶體市佔位居前三，與三星、SK海力士形成寡占格局，製程與產品良率持續精進，成本曲線與技術節奏提供可持續競爭力。
價格回升帶動獲利修復，花旗看好指引優於市場
花旗在給投資人的報告中指出，記憶體上行循環由產能受限與優於預期的終端需求共同驅動，尤其是資料中心端拉貨強勁。花旗預估美光該季調整後EPS為2.62美元、營收112億美元，與整體市場預估大致相符，但公司後續給出的營運展望可望明顯高於共識，主因DRAM與NAND銷量與售價同步走升。價格循環回暖將帶動毛利率修復，營運現金流與資本支出效率改善，有助進一步強化資產負債表彈性。
資料中心成長領航，AI伺服器帶動DRAM與HBM需求爆發
AI訓練與推論對記憶體頻寬與容量需求急遽擴張，單台AI伺服器搭載之DRAM與HBM用量遠高於一般伺服器，資料中心成為本輪循環的主要引擎。除雲端業者持續擴充AI機房外，企業端AI導入也逐步展開，支撐中長期需求曲線。PC與手機市場在庫存去化後陸續回溫，雖然動能不及資料中心強勁，但可提供底部支撐，讓記憶體需求結構更趨均衡。
供給紀律強化，產能受限與資本支出控制推升報價
記憶體廠在前一輪景氣低谷時調降晶圓投片與資本支出，疊加先進節點導入初期良率爬升與HBM產能受制封裝瓶頸，使得有效供給成長有限。當前現貨與合約價均顯示上行趨勢，花旗亦點出供需缺口的延續性，有利報價續揚。只要產業維持供給紀律與穩健擴產節奏，價格循環有望延長，企業毛利彈性將充分釋放。
韓系對手夾擊無可避免，HBM良率與客戶認證成勝負手
競爭面向主要來自三星與SK海力士，兩者在HBM市佔與技術積累深厚。美光的關鍵在於高階產品良率、先進封裝與與大客戶的認證速度，一旦擴大AI供應鏈份額，產品組合將快速上移，獲利敏感度提升。風險在於若2026年前後產能擴張過快導致供給反轉，或宏觀景氣放緩壓抑資本支出，價格循環可能提前降溫，另須留意地緣與貿易政策對需求與供應鏈的潛在影響。
外資預期指引勝過共識，短線情緒轉多但波動加劇
在花旗上調目標價並重申買進後，市場押注美光財測將上修，帶動盤面資金湧入記憶體與AI相關類股。值得留意的是，當預期快速上移，財報與法說若僅符合共識，短線易出現「利多出盡」的震盪；反之，一旦指引超標幅度擴大，股價動能可能延續。投資人應關注管理層對DRAM與NAND平均售價、位元出貨成長與HBM產能節點的最新說明。
股價量價齊揚，關鍵區間觀察140至150美元變化
美光今日收在140美元、單日漲幅7.55%，成交量顯著放大，技術面維持上行結構。年初至今漲近八成，明顯跑贏大盤與半導體族群平均。短線關鍵在能否有效站穩本次跳空上漲區間，並挑戰前高壓力帶，以及花旗所提出的175美元中期目標價。籌碼面受外資買盤推動，後續需追蹤法說前後的換手效率與量能是否延續。
投資重點回歸基本面，AI記憶體長多趨勢未變但留意循環波動
總結來看，AI需求帶動的記憶體升級與含量提升構成多頭主軸，價格循環與產品組合上移推動美光基本面修復。花旗的樂觀評估凸顯市場對未來數季獲利能見度的信心，但記憶體產業天生具循環性，短期漲多後的波動與指引落差風險需審慎管理。中長期投資人可聚焦HBM與伺服器DRAM滲透率提升的結構機會，短線交易者則應以財報與指引為風險控管依據，留意價格與產能節奏變化對估值的影響。
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