ASML獲得三星和臺積電的承諾，將推動最新的高NA極紫外光(EUV)微影裝置，加速AI晶片技術發展。
荷蘭半導體裝置巨頭ASML近日宣佈，三星電子與臺灣積體電路製造公司（TSMC）將共同採用其最新的高NA極紫外光(EUV)微影裝置，此舉不僅強化了未來AI晶片的前景，也顯示出業界對於先進製程的迫切需求。根據計畫，三星預計在2028年開始使用這套系統生產記憶體，而臺積電則計劃從2030年起實施。
此外，ASML正在與這些企業合作，將目前使用的6英寸光掩膜轉換為12英寸，以提高生產效率並降低成本。ASML首席技術官Marco Pieters表示，這種更大的光掩膜有潛力使高NA機器的產能提升40%，這將是生產力的一大突破。
特別值得注意的是，臺積電作為ASML的重要客戶，約佔其收入的16%。該公司的CEO魏哲家指出，臺積電一直相信透過協作克服技術障礙，才能避免經濟障礙。他們計劃在2030年基於現有的6英寸光掩膜開始使用高NA系統，並希望到2031年建立一條生產12英寸光掩膜的測試線，最終在2033年正式投入量產。
隨著AI需求激增，ASML的技術革新可能成為半導體行業的關鍵驅動力，未來幾年內，這些合作將如何影響市場格局，值得持續關注。
點擊下方連結，開啟「美股K線APP」，獲得更多美股即時資訊喔！
https://www.cmoney.tw/r/56/9hlg37
免責宣言
本網站所提供資訊僅供參考，並無任何推介買賣之意，投資人應自行承擔交易風險。
