2026年開春以來，AI概念股持續延燒，其中記憶體大廠美光(MU)表現尤為亮眼。繼2025年股價大漲239%之後，美光(MU)在2026年迄今已快速上漲50%。儘管股價漲幅驚人，但以傳統獲利估值來看，該股目前並不昂貴。根據分析師對截至2026年8月的財年預估，其預期本益比（Forward P/E）僅為12.5倍，若以2027財年預估值計算，更只有9.5倍。 HBM產能消耗高達三倍排擠一般產能，導致DRAM報價全面上揚 美光(MU)與韓國SK海力士、三星並列為全球DRAM三大巨頭，其營收約80%來自DRAM產品。目前受到AI資料中心強勁需求的驅動，記憶體市場正處於供不應求的狀態。特別是高頻寬記憶體(HBM)，這是各類AI晶片（如GPU）為了發揮最佳效能所必須搭配的關鍵組件。由於HBM緊鄰AI運算單元，能快速存取數據以優化處理能力，隨著AI晶片需求激增，HBM市場需求也隨之爆發。 造成DRAM供應短缺的另一個關鍵原因在於製程複雜度。製造HBM所需的晶圓產能是一般DRAM的三倍以上，因為HBM晶片尺寸較大，單片晶圓能切割出的晶片數量較少。在HBM需求強勁且獲利能力優異的情況下，記憶體原廠紛紛將產能移轉至HBM，導致標準型DRAM產能受到排擠，進而推升了整體DRAM的市場價格。 資料中心儲存需求大增推動NAND快閃記憶體價格谷底反彈 除了DRAM，NAND Flash（快閃記憶體）市場同樣面臨供應吃緊。先前受到疫情後電子產品需求退潮影響，NAND市場曾嚴重供過於求，導致價格崩跌至低於生產成本，造成記憶體製造商毛利率轉負。為此，各大廠大幅削減NAND產量，並將資源轉向更有利可圖的DRAM與HBM領域。 然而，近期AI資料中心開始大量需求包含快閃記憶體的大容量固態硬碟(SSD)來儲存訓練數據，導致NAND價格回升。由於記憶體大廠目前更專注於具備長期合約與高獲利的HBM生產，對於增加NAND產能態度保守，這進一步支撐了NAND價格的上漲趨勢。 擺脫傳統週期性循環轉向長期成長，單季毛利率飆升至56% 記憶體產業過去常受制於「繁榮與蕭條」的週期性循環，這也是美光(MU)本益比長期維持在合理區間的主因。但隨著記憶體業者能與客戶簽訂HBM的長期供應合約，市場結構正在改變，從單純的週期性反彈轉變為結構性的成長順風。AI基礎設施的支出持續激增，且目前尚未看到放緩跡象。 美光(MU)成為此趨勢的最大受惠者之一，不僅營收大幅成長，獲利品質更是顯著提升。上一季營收成長57%，毛利率從一年前的38.4%飆升至56%，並創造了39億美元的自由現金流。公司表示，今年的HBM產能已全數售罄，目前正積極擴充產能以滿足預期到2028年每年增長40%的需求，並正與客戶洽談多年的HBM生產承諾。在產業結構性利多支撐下，美光(MU)仍是AI基礎設施浪潮中值得關注的標的。 原文連結： https://is.gd/W2f2LY