全球記憶體大缺貨延燒到2027？中國CXMT殺入NAND戰場，對決三星、美光點燃AI晶片新戰局

・ 2026 年 09 月 18 日

AI伺服器需求推高記憶體價格，全球供給吃緊預期延續到2027年。中國長鑫存儲(CXMT)擴張版圖，從DRAM跨足NAND快閃記憶體，正面迎戰三星、SK Hynix與Micron(MU)，同時與國內對手YMTC在彼此領域交叉競爭，為中國半導體自主與全球記憶體版圖帶來新變數。

全球記憶體市場在AI浪潮推升下，正從周期性產業變成戰略級賽道。隨著AI伺服器與資料中心需求爆發，業界普遍預期記憶體短缺將至少延續到2027年，價格結構與產能布局也出現明顯改寫。中國記憶體廠長鑫存儲科技（ChangXin Memory Technologies, CXMT）近期傳出準備跨足NAND快閃記憶體，顯示這場圍繞AI基礎建設的「記憶體軍備競賽」，正進入新階段。

目前CXMT以DRAM為核心業務，但在全球供給吃緊、AI相關基礎設施投資持續擴張之際，公司據悉已在北京新廠規劃NAND快閃記憶體研發與試產線，同時在當地成立研發機構，將NAND列為重要開發項目。雖然外界尚不清楚這條研發線何時正式投產，或是否會進一步走向大規模商業量產，單就方向而言，已宣示CXMT不再只做DRAM單一路線，而是要切入更廣泛的儲存產品組合。

CXMT的布局不僅是技術研發計畫，而是緊扣市場需求做出的策略轉向。消息人士指出，CXMT已與潛在客戶洽談NAND方案，其中包含一家新成立的企業，計畫將其晶片應用於AI系統與超級電腦的儲存產品。這意味未來在高效能運算與AI伺服器領域，可能出現更多以中國製記憶體為核心的整機解決方案，為現有以美韓廠為主的供應鏈，帶來一定程度的競爭壓力。

從全球格局來看，NAND市場長期由Samsung Electronics（三星電子）、SK Hynix與Micron Technology(MU)等大廠主導。這些公司近年把資源優先投入DRAM與高頻寬記憶體(HBM)，以搶攻AI加速卡與伺服器市場，導致新增NAND產能的步調相對放緩。在AI需求強勁、整體資本開支又多集中在高毛利產品的情況下，NAND供應自然偏緊，為價格提供支撐，也給了新進者切入縫隙的機會。

在中國市場內部，CXMT此番轉向也改變了與長江存儲（Yangtze Memory Technologies, YMTC）的競合關係。過去兩者各自主攻DRAM與NAND，如今則出現「互相跨界」的局面：CXMT走向NAND，YMTC則有意加強DRAM布局。這種雙向滲透，一方面是為了在國際供應鏈壓力與出口管制背景下，建立更完整的本土記憶體供應體系，另一方面也是希望利用當前供給緊縮、價格相對有利的時間點，擴大在中國客戶中的話語權。

值得注意的是，CXMT的NAND計畫仍存在相當不確定性。例如研發產線是否能快速走向量產、實際產品良率與成本結構能否匹敵國際大廠，都是決定其能否真正撼動市場的關鍵。部分業界觀點認為，在製程節點與控制晶片（controller）設計上，中國廠商仍與Samsung、SK Hynix與Micron存在明顯差距，短期內難以直接在高階產品線正面對抗。

然而，另一派看法則指出，在AI伺服器與超級電腦領域，系統設計者越來越重視供應多元化與地緣風險管理，只要中國廠能在中階或特定客製領域提供穩定供貨，就有機會從邊緣市場逐步爭取份額。尤其在中國內需龐大、雲端與AI巨頭積極建置本地資料中心的情況下，本土記憶體供應商在價格與交期上具備天然優勢。

從宏觀角度來看，這波全球記憶體短缺並非傳統PC或手機周期所驅動，而是由AI訓練與推論工作負載帶動的長期趨勢。產業高層普遍預估，AI伺服器將在未來數年持續推高DRAM與HBM需求，迫使現有廠商把產能與資本支出優先分配到這些產品線。結果是NAND投資相對受限，供需較易偏緊，價格波動幅度也可能加大。

在此情境下，CXMT等新進或轉型廠商能否把握機會，關鍵在於其技術追趕速度與與客戶合作深度。若能在國內市場建立穩定訂單，進一步再透過成本與可靠度優化，慢慢向國際市場試探伸展，全球記憶體版圖恐將出現更多多極化的力量分布。

未來幾年，投資人與產業觀察者將密切關注三大方向：第一，Samsung、SK Hynix與Micron在AI熱潮下，是否會重新調整DRAM與NAND之間的資本配置；第二，中國CXMT與YMTC在各自「跨界」後，技術路線與產品良率的實際進展；第三，AI伺服器與儲存架構是否會因本土供應商崛起而出現設計變化。當全球對AI運算能力的渴望愈來愈強，記憶體這個看似配角的元件，很可能成為決定產業競局的真正關鍵。