搶攻 2 奈米以下 GAA 製程！應材推 2 沉積設備進軍埃米時代 | TechNews 科技新報 https://share.google/R0GCkIWjXIvHzVaRP 針對應材（Applied Materials）在邁向 2 奈米及埃米（Angstrom）時代所推出的技術重點整理，特別是關於「鉬」的應用： 1️⃣為什麼要用「鉬」？ 在 2 奈米以下的製程中，電晶體的尺寸極度縮小，傳統使用的鎢（Tungsten, W）接觸點會因為電阻過高而遇到瓶頸。應材推出的 Centris Spectral ALD 系統 核心技術，就是將電晶體接觸點的金屬材料從鎢更換為鉬。 降低電阻： 根據應材的數據，使用選擇性沉積的「單晶鉬」可以比傳統鎢製程降低約 15% 的接觸電阻。 提升效能： 電阻降低意味著晶片能以更低的功耗達到更高的運算速度，這對 AI 晶片的高效能需求至關重要。 2️⃣本次推出的兩大沉積與關鍵設備 應材為了搶攻 GAA（Gate-All-Around）架構與埃米時代，主要推出了以下設備組合： Centris Spectral ALD： 這是最重要的部分，負責選擇性沉積鉬金屬。 它利用原子層沉積（ALD）技術，在極小的空間內精準填入金屬，避免產生縫隙或空洞。 Producer Viva： 這是「基團處理系統」（Radical Treatment System），用於在原子層級清潔與平滑奈米片（Nanosheet）的表面，確保後續沉積的金屬能與矽完美貼合。 Trillium ALD： 後續推出的系統，專門用於處理更複雜的金屬閘極堆疊（Metal Gate Stack），在僅約 10 奈米的間距內精準沉積金屬。 【結論】🔥 這篇新聞的主旨正是強調：隨著製程進入 2 奈米以下，材料的創新（如從鎢轉向鉬）與設備的進化（如選擇性沉積技術）是克服物理極限、延續摩爾定律的關鍵。因此，「鉬金屬」是這次應材技術發布中極為核心的亮點。
