【美股新聞】美光科技在日本廣島設新廠加速DRAM和HBM生產！

・ 2024 年 05 月 29 日

圖/Shutterstock

放大鏡短評

美光科技的廣島新廠計劃代表其在半導體市場中的重大投資和戰略佈局。隨著AI和高帶寬記憶體需求的激增，美光加大投入以搶佔市場份額，並提升其全球競爭力。儘管項目有延遲，但增加的投資預示著美光將擴大產能，滿足未來數年的市場需求，對美光來說可望是搶占市場的大好機會，儘管產能位於三大HBM廠之末位，擴廠有望提升市場份額，在需求的支撐下，增產投報率高，因此對投資人來說應屬利多消息。此外，預計將引用極紫外光刻設備（EUV）也將為艾司摩爾帶來新的訂單，對其亦屬利多消息。

新聞資訊

美光科技Micron (MU) 將在日本廣島建設新DRAM工廠，並引入極紫外光刻設備（EUV），計劃2026年動工，2027年投產。此工廠將生產1-gamma DRAM和高帶寬記憶體(HBM)，目標在2025年達到25% HBM市場份額。儘管建設延遲，投資金額已增至6000億至8000億日圓，並獲得日本政府的資金補助。

擴建計劃詳情

美光科技宣布計劃在日本廣島興建新的DRAM工廠。該工廠將配備極紫外光刻設備（EUV），以製造美光最先進的記憶體產品。公司預計在2026年初動工，並在2027年投產。

投資與延遲

美光早在2023年宣佈將投資高達5000億日圓（32億美元）於廣島的EUV設備，但最新消息顯示，工廠建設可能會延遲兩年。新的初始投資預估在6000億至8000億日圓（38億至51億美元）之間。

先進技術與市場份額

工廠完成後，將生產次世代1-gamma DRAM和適用於生成式AI的高帶寬記憶體（HBM）。美光希望在2025年達到25%的HBM市場份額，目前落後於佔有50%市場份額的SK海力士和佔有40%的三星。

市場需求與增長

美光執行副總裁暨首席商務官Sumit Sadana預估，全球DRAM市場每年增長15%，而HBM市場增長速度將是其三倍，預計每年增長40%至50%。這為美光帶來了巨大的潛在收益。

政府補助與未來展望

日本經濟產業省將承擔該工廠建設費用的三分之一，提供高達1920億日圓（12億美元）的補助，此外，美光還獲得25億日圓（1590萬美元）的補助，用於HBM生產所需的資金。