STMicroelectronics與Innoscience達成GaN技術發展與製造的合作協議，雙方將互相利用各自的前端製造能力。
在半導體產業中，STMicroelectronics（NYSE:STM）與Innoscience於週一正式宣佈了一項重要的合作協議，專注於氮化鎵（GaN）技術的開發及生產。根據該協議，Innoscience將能夠在中國以外的地區使用ST的前端製造能力來生產其GaN晶圓，而ST也可以利用Innoscience在中國的前端製造能力來生產自己的GaN晶圓。
這項合作不僅有助於提升雙方在GaN市場的競爭力，也反映出全球半導體供應鏈日益緊密的合作趨勢。隨著對高效能電子元件需求的增加，GaN技術被視為未來的重要方向。此舉可望加速兩家公司在先進材料和技術上的研發步伐，使其在迅速變化的市場環境中保持領先地位。
儘管此協議帶來了許多正面影響，但仍有觀點認為，市場上其他競爭者可能會對雙方的合作構成挑戰。然而，透過資源共享與技術整合，STMicroelectronics與Innoscience或許能夠克服這些障礙，並在未來的GaN技術發展中取得更大的成功。
點擊下方連結，開啟「美股K線APP」，獲得更多美股即時資訊喔！
https://www.cmoney.tw/r/56/id7ogv
免責宣言
本網站所提供資訊僅供參考，並無任何推介買賣之意，投資人應自行承擔交易風險。
